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化合物半導體太陽電池

使用矽半導體製作太陽電池主要是因為價格較低,但是矽屬於「間接能隙」,光電性質較差,所以能量轉換效率較低;而化合物半導體屬於「直接能隙」,光電性質較佳,例如:使用砷化鎵、磷化銦等化合物半導體製作太陽電池,可以將能量轉換效率提高到20%以上,關於半導體直接能隙與間接能隙的原理請參考第二冊第5章基礎光電磁學的詳細說明。

化合物半導體的製造技術
化合物半導體的製作比較困難,可以使用CZ法成長砷化鎵晶圓,也可以使用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)成長化合物半導體薄膜。有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)又稱為「有機金屬氣相磊晶(MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)」,在成長薄膜的過程中有化學反應發生(有化學鍵的斷裂),故屬於「化學氣相沉積(CVD)」,反應用的有機金屬氣體可以較大量且快速地在基板上沉積,成本較低,適合工廠大量生產。
MOCVD通常使用在發光二極體(LED)、雷射二極體(LD)或射頻積體電路(RF IC)等元件的製作,也可以製作化合物半導體太陽電池,目前國內使用這種生產技術的廠商有國聯光電、晶元光電、全新光電等公司。以成長砷化鎵磊晶為例,如**圖14-15所示,其製作步驟如下:
1.將基板放在MOCVD機台的晶圓座上方,做為「基板(Substrate)」。
2.在高真空(HV)下,將有機金屬氣體「三氫化砷(AsH3)」與「三甲基鎵(Ga(CH3)3)」通入反應器內。
3.將基板加熱到高溫,使三氫化砷(AsH3)分解產生砷原子,三甲基鎵(Ga(CH3)3)分解產生鎵原子。
4.砷原子與鎵原子緩慢地在基板上堆積,而形成「砷化鎵薄膜」。
如果我們使用玻璃做為基板,由於玻璃是非晶材料,原子排列很混亂,所以在上面成長的薄膜是「非晶砷化鎵」,能量轉換效率較低;如果我們使用砷化鎵晶圓做為基板,由於砷化鎵晶圓是單晶材料,原子排列很整齊(排頭),所以在上面成長的薄膜是「單晶砷化鎵」,能量轉換效率較高。科學家們將單晶薄膜(原子排列很整齊的薄膜)稱為「磊晶(Epitaxy)」。

化合物半導體的種類
化合物半導體的種類很多,只要具有兩種以上的元素混合起來就可以形成化合物半導體,但是必須遵守「八隅規則」,也就是每一個原子的周圍必須都有八個電子,有關八隅規則的詳細說明請參考第一冊第1章基礎電子材料科學,由圖13-1的元素週期表中可以看出,化合物半導體有下列幾種:
>三五族「二元素」化合物半導體
元素週期表上3A族任選一個元素與5A族任選一個元素混合形成,例如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、氮化鎵(GaN)等。
>三五族「多元素」化合物半導體
元素週期表上3A族任選二個以上的元素與5A族任選二個以上的元素混合形成,例如:砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)、砷化鋁銦鎵(AlInGaAs)等,只要固體中所含有的3A族原子總數與5A族原子總數相等即可。
>二六族「二元素」化合物半導體
元素週期表上2A族任選一個元素與6A族任選一個元素混合形成,例如:碲化鎘(CdTe)、硒化鎘(CdSe)、硫化鎘(CdS)、硒化鋅(ZnSe)等。值得注意的是,元素週期表上2A族元素包括:鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鐳(Ra),而上面所提到的鎘(Cd)、鋅(Zn)等元素其實是在元素週期表中央的B族元素(過渡金屬),但是它們的性質仍然與2A族元素類似,因此我們仍然將它們「視為」2A族元素。
>其他「多元素」化合物半導體
科學家發現,使用一些比較特別的元素形成的化合物半導體,也可以做為太陽電池,其中最有名的是銅銦硒(CIS:Copper Indium Selenide)三元素化合物半導體與銅銦鎵硒(CIGS:Copper Indium Gallium Selenide)四元素化合物半導體,能量轉換效率可以達到19%以上。

化合物半導體的發光效率
德國Fraunhofer太陽能系統研究所與俄羅斯聖彼德堡Ioffe研究所共同合作開發Flatcon模組太陽電池,使用砷化鎵(GaAs)單接面電池,能量轉換效率可達17~18%;後來改用有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)成長磷化銦鎵(GaInP)/砷化銦鎵(GaInAs)雙接面電池,能量轉換效率大於22%;美國Spectrolab公司利用有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)製作磷化銦鎵(GaInP)/砷化銦鎵(GaInAs)/鍺(Ge)三接面太陽電池,能量轉換效率接近30%;美國國家再生能源實驗室(NREL)也正著手開發下一代多接面太陽電池,包括四層結構,目標是將能量轉換效率提升到40%以上。雖然化合物半導體太陽電池的能量較換效率較高,而且愈多層接面的效率愈高,但是製作成本也愈高,所以目前只能使用在極少數特別的產品上,例如:衛星、太空站、空中飛行平台等,如**圖14-16所示,如果要應用在日常生活仍然有困難。

 

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